1T1C-DRAM项目
（1）存储单元阵列
由于三极管漏电，因此平均几十ns就要刷新一次（DRAM动态随机存储器）
读操作流程：
1、字线2导通，A、B、C、D开始充放电；
2、感测放大器上段有正负变化 =====>感测放大器记录0/1；
3、根据0、1设置0V/3V电压，对已破坏的A、B、C、D进行修复刷新。
存内计算（Compute-in-Memory, CIM）技术旨在将计算功能集成到内存单元中，减少数据在存储和计算之间的传输。这一理念已经在非易失性存储器（NVM）中取得了一定进展[1-5]。S Yu 和 H Jiang的研究探讨了将计算操作嵌入到内存中的各种实现方案，如通过集成电路设计来减少延迟和能耗。特别是，利用相变存储器（PCM）和闪存等技术，研究人员能够在存储介质内进行简单的计算操作[6]，从而显著提高系统性能。
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